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PCB Material

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세라믹이 채워진 F4BT-1/2

F4BT-1/2는 과학적 제조 및 엄격한 기술 절차를 통해 직조 된 섬유 유리 보강재로 마이크로 분산 된 세라믹 PTFE 복합체입니다. 이 제품은 회로 소형화의 설계 및 제조를 충족하기 위해 전통적인 PTFE 동박 클래드 라미네이트보다 높은 유전 상수를 가지고 있습니다. 세라믹 분말로 충진하기 때문에 F4BT-1/2는 열팽창의 Z 축 계수가 낮아 도금 관통 홀의 우수한 신뢰성을 보장합니다. 뿐만 아니라, 열전도율이 높기 때문에 장치의 방열에 유리합니다.  


기술 사양

Appearance

Meet   the specification requirements for microwave PCB baseplate by National and   Military Standards.

Types

F4BT294

F4BT600

Dielectric   Constant

2.94

6.0

Dimension(mm)

500×600        430×430

Thickness   and Tolerance(mm)

Plate   thickness

0.25

0.5

0.8

1.0

Tolerance

±0.02~±0.04

Plate   thickness

1.5

2.0

3.0

4.0

Tolerance

±0.05~±0.07

Plate   thickness includes the copper thickness. For special dimension,customized   laminates is available

Mechanical   Strength

Warp

Plate   thickness(mm)

Maximum   Warp

Single   side

Double   side

0.25~0.5

0.050

0.025

0.8~1.0

0.030

0.020

1.5~2.0

0.025

0.015

3.0

0.02

0.010

Cutting/punching

Strength

Thickness   < 1mm,no burrs after cutting,minimum space   between two punching holes is 0.55mm,no delamination.

Thickness   > 1mm,no burrs after cutting,minimum space   between two punching holes is 1.10mm,no delamination.  

Peel   strength

Normal   state:≥17N/cm,After thermal stress:≥14 N/cm

Chemical   Property

According   to different properties of baseplates,the chemical etching method for PCB can be used. The dielectric   properties of baseplates are not changed. The plating through hole can be   done. The Hot Air Level temperature can not be higher than 263℃,and can not repeated.

 

Electrical   Property

Name

Test   condition

Unit

Value

Density

Normal   state

g/   cm3

2.3~2.6

Moisture   Absorption

Dip   in the distilled water of 20±2℃ for24 hours

%

≤0.02

Operating   Temperature

High-low   temperature chamber

-50℃~+260℃

Thermal   Conductivity


W/m/k

0.4

CTE

0~100℃

ppm/

20(x)

25(y)

140(z)

Shrinkage   Factor

2   hours in boiling water

%

0.0002

Surface   Resistivity


M·Ω

≥1×104

Volume   Resistivity

Normal   state

MΩ.cm

≥1×105

Constant   humidity and temperature

≥1×104

Pin   Resistance

500VDC

Normal   state

≥1×105

Constant   humidity and temperature

≥1×104

Dielectric   Breakdown


kv

≥20

Dielectric   Constant

10GHZ

εr

2.94,6.0(±2%)

Dissipation   Factor

10GHZ

tgδ

≤1×10-3



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