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F4BM-2-A는 과학적 제형과 엄격한 기술 공정에 따라, 나노 세라믹 멤브레인와 테플론 수지 (PTFE PCB)로 수입 된 니스 처리된 유리 천을 쌓아 적층합니다. 이 제품은 전기적 성능과 표면 절연 저항 안정성에서 F4BM 시리즈보다 장점을 갖는다.
기술 사양：
Appearance | Meet the specification requirements for the laminate of microwave PCB by National and Military Standards. | |||||||||||||||
Types | F4BM-2-A255 | F4BM-2-A262 | F4BM-2-A275 | F4BM-2-A285 | F4BM-2-A294 | F4BM-2-A300 | ||||||||||
Dimension（mm） | 550×440 | 500×500 | 600×500 | 650×500 | ||||||||||||
1000×850 | 1100×1000 | 1220×1000 | 1500×1000 | |||||||||||||
For special dimension，customized laminates is available. | ||||||||||||||||
Thickness and Tolerance（mm） | Laminate thickness | 0.254 | 0.508 | 0.762 | 0.787 | 1.016 | ||||||||||
Tolerance | ±0.025 | ±0.05 | ±0.05 | ±0.05 | ±0.05 | |||||||||||
Laminate thickness | 1.27 | 1.524 | 2.0 | 3.0 | 4.0 | |||||||||||
Tolerance | ±0.05 | ±0.05 | ±0.075 | ±0.09 | ±0.1 | |||||||||||
Laminate thickness | 5.0 | 6.0 | 9.0 | 10.0 | 12.0 | |||||||||||
Tolerance | ±0.1 | ±0.12 | ±0.18 | ±0.18 | ±0.2 | |||||||||||
Mechanical Strength | Cutting/punching Strength | Thickness1mm，no burrs after cutting，minimum space between two punching holes is 0.55mm，no delamination. | ||||||||||||||
Thickness1mm，no burrs after cutting，minimum space between two punching holes is 1.10mm，no delamination. | ||||||||||||||||
Peel strength （1oz copper） | Normal state：≥16N/cm；No bubble、delamination、peel strength≥12N/cm（in the constant humidity and temperature、and keep in the melting solder of 265℃±2℃ for 20 seconds）. | |||||||||||||||
Chemical Property | According to the properties of laminate，the chemical etching method for PCB can be used. The dielectric properties of laminate are not changed. The plating through hole can be done，but the sodium treatment or the plasma treatment must be used. | |||||||||||||||
Electrical Property | Name | Test condition | Unit | Value | ||||||||||||
Density | Normal state | g/ cm3 | 2.1～2.35 | |||||||||||||
Moisture Absorption | Dip in the distilled water of 20±2℃ for24 hours | % | ≤0.07 | |||||||||||||
Operating Temperature | High-low temperature chamber | ℃ | -50℃～+260℃ | |||||||||||||
Thermal Conductivity | W/m/k | 0.45~0.55 | ||||||||||||||
CTE （typical） | -55～288℃ （εr ：2.5~2.9） | ppm/℃ | 16（x） | |||||||||||||
20（y） | ||||||||||||||||
170（z） | ||||||||||||||||
CTE （typical） | -55～288℃ （εr ：2.9~3.0） | ppm/℃ | 12（x） | |||||||||||||
15（y） | ||||||||||||||||
90（z） | ||||||||||||||||
Shrinkage Factor | 2 hours in boiling water | % | 0.0002 | |||||||||||||
Surface Resistivity | 500V DC | Normal state | M·Ω | ≥4×105 | ||||||||||||
Constant humidity and temperature | ≥6×104 | |||||||||||||||
Volume Resistivity | Normal state | MΩ.cm | ≥6×106 | |||||||||||||
Constant humidity and temperature | ≥1×105 | |||||||||||||||
Surface dielectric strength | Normal state | d=1mm（Kv/mm） | ≥1.2 | |||||||||||||
Constant humidity and temperature | ≥1.1 | |||||||||||||||
Dielectric Constant | 10GHZ | εr | 2.55±0.05、2.62±0.05 2.75±0.05、2.85±0.05 2.94±0.05、3.0±0.05 | |||||||||||||
Thermal Coefficient ofεr （PPM/℃） -50150℃ | εr | Value | ||||||||||||||
2.55 | -100 | |||||||||||||||
2.62 | -90 | |||||||||||||||
2.75 | -90 | |||||||||||||||
2.85 | -85 | |||||||||||||||
2.94 | -85 | |||||||||||||||
3.0 | -75 | |||||||||||||||
Dissipation Factor | 10GHZ | tgδ | 2.552.85 | ≤1.5×10-3 | ||||||||||||
2.943.0 | ≤2.0×10-3 | |||||||||||||||
UL Flammability Rating | 94 V-0 | |||||||||||||||
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